الرئيسية ‹ بحث واستقصاء ‹ Hy-Memory-30B-A3B
نموذج
Hy-Memory-30B-A3B
tencent/Hy-Memory-30B-A3B
زيارة موقع Hy-Memory-30B-A3B / صفحة المشروع ←
ما هو Hy-Memory-30B-A3B
Hy-Memory-30B-A3B الذي أصدرته Tencent هو نموذج لغة كبير Mixture-of-Experts (MoE) متوفر على Hugging Face.
الميزات الرئيسية
- نموذج كتابة ذاكرة طويلة الأمد مدمج (حوالي 3B معامل نشط) لمسار الكتابة في أطر الذاكرة الخارجية
- يحل محل LLM العام مباشرة في Mem0 و MemOS و Hy-Memory لتحديد المعلومات التي يجب الاحتفاظ بها وكيفية تمثيلها بدقة وكيفية تحديث مخزن الذاكرة الثابتة
- يدعم سيناريوهات الدردشة والعمل والبرمجة
- تم تدريبه في مرحلتين: Memory On-Policy Distillation و Attributed Memory Reinforcement Learning
- يمكن نقله مباشرة إلى أطر ذاكرة غير مرئية مثل EverMemOS
من هي موجهة له
المطورون الذين يحتاجون إلى بناء أو تحسين مكونات كتابة الذاكرة لأنظمة الذاكرة الخارجية، بالإضافة إلى مطوري تطبيقات الذكاء الاصطناعي الذين يستخدمون أطر Mem0 أو MemOS أو Hy-Memory.
كيفية البدء
- زيارة https://huggingface.co/tencent/Hy-Memory-30B-A3B
- تنزيل أوزان النموذج ودمجها في أطر Mem0 أو MemOS أو Hy-Memory
- في إطار الذاكرة الخارجية، استبدل LLM العام الأصلي بهذا النموذج ككاتب ذاكرة
مجمعة من الوصف العام على الموقع الرسمي للأداة / README / صفحة الإطلاق. لم يتم التحقق من الأسعار وأعداد المستخدمين؛ يرجى التحقق من الموقع الرسمي. بعض الأقسام تمت صياغتها بمساعدة الذكاء الاصطناعي. مكتوبة بالصينية والإنجليزية؛ اللغات الأخرى مترجمة آلياً.
بدائل مشابهة (بحث واستقصاء)
احصل على شارة “Featured on AI Hot List” · إرسال أداة
→ العودة إلى “بحث واستقصاء” · القائمة الساخنة كاملة · قوائم حالات الاستخدام